BSH108 N沟道MOSFET 30V 1.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK2 低噪声增益控制放大器
N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Very low threshold voltage VDS = 20 V • Fast switching • Logic level compatible ID = 1.05 A • Subminiature surface mount package
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSH108 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH121,135 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH14-D | Panduit 泛达 | 下载 |
BSH103,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH105,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH114,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH108,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH111,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH111,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
BSH18-Q | Panduit 泛达 | 下载 |
BSH10-E | Panduit 泛达 | 下载 |