PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -100V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 125~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.32V 耗散功率Pc Power dissipation | 描述与应用 Description & Applications | ■VCEsat低饱和电压 ■高集电极电流能力集成电路和ICM ■效率高导致更少的热量的一代
欧时:
### 低饱和电压 PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors