IXGP20N120B3

IXGP20N120B3概述

IGBT 分立,IXYS### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,IXYS

### IGBT 分立元件和模块,IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
IXYS IXGP20N120B3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-220封装


得捷:
IGBT 1200V 36A 180W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3-Pin3+Tab TO-220


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