高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
得捷:
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
艾睿:
Driver 600V 0.6A 1-OUT Hi Side Inv Automotive 8-Pin SOIC Tube
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|---|---|---|
| IRS21281SPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
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