射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
RF Mosfet LDMOS 32V 1.55A 800MHz 16dB 100W H-30275-4
得捷:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
型号 | 品牌 | 下载 |
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PTFA043002E V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA212401F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA240451E V1 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA241301F V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA260851E V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA191001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA192001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
PTFA210601F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
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