PTFA043002E V1

PTFA043002E V1概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

RF Mosfet LDMOS 32V 1.55A 800MHz 16dB 100W H-30275-4


得捷:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8


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