RHU002N06

RHU002N06 N沟道MOSFET 60v 2A SOT-89 marking/标记 KP RF放大器/CATV调谐器/低噪声/高功率

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60v \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20v 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.2Ω/Ohm @20A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. High speed switching. Wide SOA. 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关。 宽SOA