IS62WV25616BLL-55TLI

RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

静态 RAM，ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V

提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择：x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

欧时:
### 静态 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

立创商城:
IS62WV25616BLL-55TLI

贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,55ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

TME:
Memory; SRAM; 256kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44; -40÷85°C

Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS62WV25616BLL-55TLI  IC, SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 55 ns Access Time, 2.5 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44

DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP

Win Source:
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP