IPD042P03L3GATMA1数据手册PDF_IPD042P03L3GATMA1中文资料-锐单商城

IPD042P03L3GATMA1概述

INFINEON IPD042P03L3GATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

艾睿:
OptiMOS P3 Power-Transistor

Verical:
OptiMOS P3 Power-Transistor

Newark:
# INFINEON IPD042P03L3GATMA1 MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252 New

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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