BAR63V-06W-GS08

描述特点是一个非常低的反向电容PIN二极管BAR63V-06W是专为射频信号调整。由于正向偏置电流的函数的正向电阻（射频）可以调整到小于1Ω而低反向电容提供了一个高隔离。这个PIN二极管的典型应用无线..

反向电压VRReverse Voltage| 50V

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平均正向整流电流IFForward CurrentIf| 100mA/0.1A

二极管电容值CTDiode capacitance| 0.23pF

最大耗散功率PdPower dissipation|

Description & Applications| Description Characterized by a very low reverse Capacitance the PIN Diode BAR63V-06W was designed for RF signal tuning. As a function of the forward bias current the forward resistance rf can be adjusted to less than 1 Ω while the low reverse capacitance offers a high isolation. Typical applications for this PIN Diode are wireless, mobile and TV-systems. Features • Low forward resistance • Very small reverse capacitance • Lead Pb-free component Applications For frequency up to 3 GHz RF-signal tuning Mobile, wireless and TV-Applications Mechanical Data

描述与应用| 描述 特点是一个非常低的反向电容 PIN二极管BAR63V-06W是专为射频信号 调整。由于正向偏置电流的函数 的正向电阻（射频）可以调整到小于 1Ω而低反向电容提供了一个高 隔离。这个PIN二极管的典型应用 无线，移动和电视系统。 特点  •低正向电阻  •非常小的反向电容  •铅（Pb）免费组件 应用 对于频率高达3 GHz RF信号调谐 移动，无线和电视应用 机械数据