BSS670S2LH6327XTSA1

INFINEON  BSS670S2LH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

立创商城:
BSS670S2LH6327XTSA1

得捷:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS670S2LH6327XTSA1, 540 mA, Vds=55 V, 3引脚 SOT-23封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# INFINEON  BSS670S2LH6327XTSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23