IRF7739L2TR1PBF

IRF7739L2TR1PBF概述

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon

**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻

封装电阻极低,尽量减少传导损耗

高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性

薄型,仅 0.7mm


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 46A; 125W; DirectFET


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