UPA1919TE

UPA1919TE P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.046ohm SOT-163 marking/标记 TX 2.5V驱动 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -600mA/-0.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.046Ω @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance RDSon1 = 58 mΩ MAX. VGS = −4.5 V, ID = −3.0 A RDSon2 = 60 mΩ MAX. VGS = −4.0 V, ID = −3.0 A RDSon3 = 84 mΩ MAX. VGS = −2.5 V, ID = −3.0 A 描述与应用| •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS（on）1 =58mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）=60mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-3.0 A） 的RDS（on）3 =84mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-3.0 A）