PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 双极性晶体管，NXP Semiconductors
低饱和电压 PNP ，Nexperia
一系列 BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
### 双极晶体管，Nexperia
欧时:
NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装