BFP740FH6327XTSA1

INFINEON  BFP740FH6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP

欧时:
Infineon BFP740FH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 4引脚 TSFP封装

贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 250 hFE

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin TSFP T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

Newark:
# INFINEON  BFP740FH6327XTSA1  RF BIP TRANSISTORS New

Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343