TPC8303 双P沟道场效应管 -30V -4.5A SM8 代码 TPC8303 增强模式 低漏电流
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±20 V 最大漏极电流Id Drain Current | -4.5A 源漏极导通电阻Rdson FET Drain-Source On-State Resistance | VGS = −4 V, ID = −2.2 A RDS=55~65mΩ VGS = −10 V, ID = −2.2 A RDS=27~35mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | −0.8~ −2.0 V 耗散功率Pd Power Dissipation | 0.75W 描述与应用 Description & Applications | 硅P沟道MOS场效应类型U?MOSII 锂离子电池应用 便携式设备的应用程序 笔记本电脑 低消耗源电阻:RDS= 27 mΩtyp。 高向前转移导纳:| yf | = 7 Styp。 低漏电流:ids=-10μAmaxVDS =-30 V 增强模式:Vth =-0.8 ~-2.0 VVDS =?10 V,ID =?1 mA 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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