SPD08P06PGBTMA1

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

得捷:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

立创商城:
SPD08P06PGBTMA1

贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin2+Tab TO-252

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# INFINEON  SPD08P06PGBTMA1  MOSFET Transistor, P Channel, -8.83 A, -60 V, 0.23 ohm, -6.2 V, -3 V

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252