UPA606T 双N 沟道场效应管 60V 0.1A SOT163 代码 MA
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | 100MA/0.1A 源漏极导通电阻Rdson FET Drain-Source On-State Resistance | VGS = 4.0 V, ID = 10 mA RDS=19~30Ω VGS = 10 V, ID = 10 mA RDS=15~25Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications | n沟道MOS场效应六脚2电路的切换 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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| UPA606T | NEC 日本电气 | 下载 |
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