BC856U PNP+PNP复合三极管 -80V -100mA HEF=200~475 SOT-163/SC-74 标记3Ds 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -65V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~475 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 250MW/0.25W 描述与应用 Description & Applications | PNP型硅房颤晶体管阵列 对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序 高电流增益 低饱和电压 两个电内部孤立的晶体管 在一个包有良好的匹配 技术文档PDF下载 | 在线阅读
Win Source:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC74-6
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BC856U | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BC856ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC856BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857C | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858CLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BS | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC857B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC856BW | NXP 恩智浦 | 下载 |