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STMicroelectronics 闸流晶体管 - STMicroelectronics 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 SCR 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。

反向重复峰值电压VRRM/断态重复峰值电压VDRMRepetitive peak reverse voltage/Repetitive peak off-state voltage| 600V-800V \---|--- 通态平均电流ITAVAverage on-state current| 0.8A 通态最大电流ITRMSRMS on-state current| 1.25A 栅极触发电压VGTGate trigger voltage | 0.8V 栅极触发电流IGTGate trigger current| 200μA 保持电流IHHolding current | 5mA 峰值通态电压VTMOn-state voltage| 1.45V 重复峰值断态电流IDRMRepetitive peak off-state current | 5μA 浪涌电流ITSM50Hz、60HzCurrent - Non Rep. Surge 50, 60Hz Itsm| 25A Description & Applications| Highly sensitive triggering levels for all applications where the available gate current is limited，such as： ground fault circuit interruptors, overvoltage crowbar protection in low power supplies,capacitive ignition circuits Available in though-hole or surface-mount packages, these devices are optimized in forward voltage drop and inrush current capabilities, for reduced power losses and high reliability in harsh environments 描述与应用| 高度敏感的触发水平 用于栅极电流被限制的应用程序，如：接地故障电路断续器，低功率电源的过压保护电路，电容式点火电路 通孔或表面贴装封装可行，这些器件的正向压降和浪涌电流能力经过优化，降低了功率损耗，在恶劣环境中有着高可靠性