08051A100JAT2A

08051A100JAT2A概述

AVX  08051A100JAT2A  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 10 pF, ± 5%, C0G / NP0, 100 V, 0805 [2012 公制]

MLCC-多层陶瓷器


欧时:
AVX 0805 MLCC 系列X7R 配方称作“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,COG NPO 是最常用的“温度补偿”EIA I 类陶瓷材料多层陶瓷电容器,-55°C 至 +125°C 时温度变化在 ±15% 内 电容变化为非线性 AVX 高电压芯片具有高值、低泄漏和小尺寸的优势,因此应用包括:高频功率转换器中的减震器、SMPS 中的共振器和高电压耦合/直流阻隔 这些高电压芯片设计在高频时具有低 ESR 提供低噪声 X5R 型号 提供薄型型号陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置,在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型,如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。C0G NP0 配方显示无老化特性C0G NP0 是最受欢迎的“温度补偿”配方,EIA I 类陶瓷材料。现代 C0G NP0 配方中含有钕、钐和其他稀土氧化物。C0G NP0 陶瓷提供最稳定的电容器电介质之一。电容随温度的变化关系为 0±30ppm/℃,从 -55℃ 至 +125℃ 小于 ±0.3% C。与高达 ±2% 的薄膜电容器相比,C0G NP0 陶瓷的电容偏移或滞后少于 ±0.05%,可忽略不计。C0G NP0 的典型电容随时间的变化小于 ±0.1%,是大多数其他电介质的五分之一。### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。


得捷:
CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0805


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100V 10pF C0G 0805 5%


e络盟:
多层陶瓷电容器, 表面贴装, 10 pF, 100 V, 0805 [2012 公制], ± 5%, C0G / NP0, AVX 0805 MLCC


艾睿:
Cap Ceramic 10pF 100V C0G 5% Pad SMD 0805 125°C T/R


Allied Electronics:
Capacitor; Ceramic; Cap 10 pF; Tol 5%; Vol-Rtg 100 VDC; SMT; 0805; COG; Cut Tape


安富利:
Cap Ceramic 10pF 100V C0G 5% SMD 0805 125°C Paper T/R


TME:
Capacitor: ceramic; 10pF; 100V; C0G; ±5%; SMD; 0805


Verical:
Cap Ceramic 10pF 100V C0G 5% Pad SMD 0805 125C T/R


Newark:
SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 0805 [2012 Metric], 10 pF, 100 V, ± 5%, C0G / NP0


儒卓力:
**KC 10pF 0805 5% 100V NP0 **


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