P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.105Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 750mW/0.75W Description & Applications| • Low gate charge 3.5nC typical. • High performance trench technology for extremely low RDSON • Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| •低栅极电荷（3.5nC典型值） •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| FDG326P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG312P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG332PZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG313N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG316P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG327NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG315N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG311N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG328P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG327N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDG330P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |