RK7002A

RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V

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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V

最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.0Ω/Ohm @300mA,10v

开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V

耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W

Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET transistor Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA safe operating area. Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.

描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET晶体管 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用