IRFIBC30G

IRFIBC30G概述

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMSt = 60 s;f = 60 Hz

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead Pb-free Available


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


IRFIBC30G数据文档
型号 品牌 下载
IRFIBC30G

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