IC 与非门 TC7SH00FE SOT-553/ESV marking/标记 H1
逻辑类型Logic Type| 与非门 NAND Gate \---|--- 电路数Number of Circuits| 1 输入数Number of Inputs| 2 电源电压VccVoltage - Supply| 2V~5.5v 静态电流IqCurrent - Quiescent Max| 2uA 输出高，低电平电流Current - Output High, Low| -8mA,8mA 低逻辑电平Logic Level - Low| 0.5V 高逻辑电平Logic Level - High| 1.5V 传播延迟时间@Vcc，CLMax Propagation Delay @ V, Max CL| 7.5ns @4.5V~5.5V ，50pF Description & Applications| 2-Input NAND Gate ；Super high speed operation : tPD = 3.7 ns typ. @VCC = 5 V • Low power dissipation : ICC = 2 µA Max. @ Ta = 25°C • High noise immunity : VNIH = VNIH = 28% VCC Min. • 5.5V tolerant input. • Wide operation voltage range : VCC opr = 2~5.5 V 描述与应用| 2输入与非门;超高速运转：TPD= 3.7纳秒（典型值） @ VCC = 5 V •低功耗：ICC= 2μA（最大） @助教= 25°C •高抗干扰性：VNIH= VNIH VCC=28％（最小） •5.5V宽容输入。 •宽工作电压范围：VCC（OPR）=2〜5.5 V