RN1108MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 47k SOT-723/VESM marking/标记 XI 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.468 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Ultra-small package, suited to very high density mounting Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost. A wide range of resistor values is available for use in various circuits. Complementary to the RN2107MFV to RN2109MFV 描述与应用| 开关,逆变电路,接口电路, 驱动器电路应用 适合非常高密度安装的超小型封装, 结合到该晶体管的偏置电阻器的数量减少 部件,所以使制造的更加紧凑的设备和 降低了组装成本。 宽范围的电阻值是可用于在各种电路。 互补的RN2107MFV RN2109MFV的
型号 | 品牌 | 下载 |
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RN1108MFV | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN112-0.8-02 | Schaffner | 下载 |
RN114-1.2-02 | Schaffner | 下载 |
RN1110CTTPL3 | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1102MFV,L3F | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1117MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1114MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1112MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1102MFVTL3,T | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1130MFVTL3,T | Toshiba 东芝 | 下载 |
RN1132MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | 下载 |