VLS201610ET-4R7M

VLS201610ET-4R7M概述

VLS2016-E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2016-E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途 应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器(扼流圈)

固定器


得捷:
FIXED IND 4.7UH 640MA 554MOHM SM


立创商城:
VLS201610ET-4R7M


欧时:
### VLS2016-E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2016-E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途 应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器(扼流圈)


艾睿:
This power VLS201610ET-4R7M surface mount inductor from TDK is ideal for applications where space is a major influence of circuit design. This SMD inductor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 105 °C. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This product is 2.1 mm long, 0.95 mm tall and 1.7 mm deep. Its test frequency is 1M Hz. It has a tolerance of 20%. This device is made with wirewound technology. It has an inductance of 4.7u H. This SMD inductor has a maximum DC current of 670mA typ with a maximum resistance of 554m Ohm.


安富利:
Ind Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz 670mA 0806 T/R


Chip1Stop:
Ind Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz 670mA 0806 T/R


Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.67A 0.554Ohm DCR 0806 T/R


Win Source:
4.7μH Shielded Wirewound Inductor 640mA 554 mOhm Max Nonstandard


VLS201610ET-4R7M数据文档
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VLS201610ET-4R7M

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