GT30J121Q

GT30J121Q概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Sack

IGBT 600V 30A 170W Through Hole TO-3PN


得捷:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Sack


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PN


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN


Win Source:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN / IGBT 600 V 30 A 170 W Through Hole TO-3PN


GT30J121Q数据文档
型号 品牌 下载
GT30J121Q

Toshiba 东芝

下载
GT30S-150-150-0.23-0

T-Global Technology

下载
GT30-100-100-0.23-0

T-Global Technology

下载
GT30J324

Toshiba 东芝

下载
GT30J311

Toshiba 东芝

下载
GT3020/L2C-B5670AC2CB2/2T

Everlight Electronics 亿光

下载
GT3020/L2C-B2832AC2CB2/2T

Everlight Electronics 亿光

下载
GT30-300-300-0.23-0

T-Global Technology

下载
GT30S-320-320-0.23-0

T-Global Technology

下载
GT30S-640-320-0.23-0

T-Global Technology

下载
GT30J324Q

Toshiba 东芝

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台