先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
BVDSS = 200 V
RDSon = 0.046Ω
ID = 3.3 A
FEATURES
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 200V
♦Lower RDSON:1.185ΩTyp.
得捷:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
立创商城:
N沟道 200V 3.3A
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| IRL610A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL6342PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6342TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6372TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6372PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6297SDTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL640A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL6283MTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL630A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL620A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL640STRLPBF | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |