NXP BSH108,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.077 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in battery management, high speed switch and low power DC to DC converter applications.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSH108,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH121,135 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH14-D | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH103,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH105,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH114,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH18-Q | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH10-E | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH14-Q | Panduit 泛达 | 下载 |