IKP20N60TAHKSA1数据手册PDF_IKP20N60TAHKSA1中文资料-锐单商城

IKP20N60TAHKSA1概述

Infineon IKP20N60TAHKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 40 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

极低的 VCEsat

低断开损耗

短尾线电流

低 EMI

最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1

欧时:
Infineon IKP20N60TAHKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 40 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-220 Tube

Win Source:
IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1

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