CSD25485F5

CSD25485F5 20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

这款 29.7mΩ、–20V P 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

.

低导通电阻

.

低 Qg 和 Qgd

.

超小尺寸

.

1.53mm x 0.77mm

.

0.5mm 焊盘间距

.

薄型

.

高度为 0.35mm

.

集成静电放电 ESD 保护二极管

.

额定值 > 4kV 人体模型 HBM

.

额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM

.

无铅且无卤素

.

符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

.

针对负载开关应用进行了 优化

.

针对通用开关应用进行了 应用

All trademarks are the property of their respective owners.