P沟道30-V（D-S）的MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.064Ω @-3A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| P-Channel 30-V D-S MOSFET 描述与应用| P沟道30-V（D-S）的MOSFET
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| SI2307DS-T1-E3 | VISHAY 威世 | 下载 |
| SI2304DS,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| SI2303-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2304-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2301-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2302-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2374DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2305DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2308DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2341DS-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |