IRFR1010ZPBF

INFINEON  IRFR1010ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 55 V, 0.0058 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET，55V，

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 91 A, 0.0058 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 91A 3-Pin2+Tab DPAK

富昌:
IRFR1010 系列 55 V 7.5 mOhm 42 A 表面贴装 HEXFET® 功率 MOSFET - D-PAK-3

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

Newark:
# INFINEON  IRFR1010ZPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 55 V, 0.0058 ohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK