TPC6003

TPC6003 N沟道MOSFET 30V 6A SOT-163/SOT23-6/VS-6 marking/标记 S2D 高速开关/低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.024Ω/Ohm @3A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS ON = 19 mΩ typ. High forward transfer admittance: |Yfs| = 7 S typ. Low leakage current: IDSS = 10 µA max VDS = 30 V Enhancement-model: Vth = 1.3 to 2.5 V VDS = 10 V, ID = 1 mA 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 19mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=7 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 10μA（最大值）（VDS= 30 V） 增强模型：VTH =1.3〜2.5 V（VDS=10 V，ID= 1毫安）