IPB042N03LGATMA1

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LGATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LGATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPB042N03LGATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V