BGA6L1BN6E6327XTSA1

BGA6L1BN6E6327XTSA1概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

RF Amplifier IC


得捷:
BGA6L1BN6 - RF MMIC SUB 3 GHZ


贸泽:
射频放大器 RF SILICON MMIC


艾睿:
BGA6L1BN6E6327XTSA1


富昌:
RF SILICON MMIC


BGA6L1BN6E6327XTSA1数据文档
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