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BFP650F概述

NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor

Summary of Features:

.: For medium power amplifiers and driver stages

.: High OIP3 and P-1dB

.: Ideal for low phase noise oscilators

.: Maxim. available Gain Gma = 21.5 dB at 1.8 GHz

.: Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz

.: 70 GHz fT- Silicon Germanium technology

.: Pb-free RoHS compliant package

.: Qualification report according to AEC-Q101 available

BFP650F详细参数

BFP650F数据文档

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