IRS2302STRPBF

IRS2302STRPBF概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
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Gate drive supply range from 5 V to 20 V
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Undervoltage lockout for both channels
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Cross-conduction prevention logic
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3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible
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Matched propagation delay for both channels
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Outputs in phase with inputs
.
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
IRS2302STRPBF数据文档
型号 品牌 下载
IRS2302STRPBF

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