INFINEON IHW15N120R3FKSA1 单晶体管, IGBT, 15 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
极低 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
低 EMI
最高接点温度 175°C
得捷:
IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
立创商城:
IHW15N120R3FKSA1
欧时:
Infineon IHW15N120R3FKSA1 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IHW15N120R3FKSA1 IGBT Single Transistor, 15 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Win Source:
IGBT 1200V 30A 254W TO247-3 / IGBT Trench 1200 V 30 A 254 W Through Hole PG-TO247-3-1
型号 | 品牌 | 下载 |
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IHW15N120R3FKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IHW15T120FKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IHW15N120R3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
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