SSM6N16FU

SSM6N16FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DS 高速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 300mΩ@ VGS = 4V, ID = 10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ● Low on resistance : Ron = 3.0 Ω max @VGS = 4 V : Ron = 4.0 Ω max @VGS = 2.5 V : Ron = 15 Ω max @VGS = 1.5 V 描述与应用| 场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω（最大）（@ VGS=4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V） RON=15Ω（最大）（@ VGS=1.5 V）