APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 370000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with power mos v technology.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| APT20M38BVRG | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT20GF120BRDQ1G | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT200GN60JDQ4G | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT200GN60JG | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT20GN60BG | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT20GN60BDQ1G | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT20F50S | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT24F50B | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT20GT60BRG | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT25GR120B | Microsemi 美高森美 | 下载 |
| APT23F60B | Microsemi 美高森美 | 下载 |