FGL60N100BNTDTU

IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

分离式 IGBT、1000V 及以上， Semiconductor

### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
Fairchild Semiconductor IGBT, FGL60N100BNTDTU, 3引脚, TO-264封装, Vce=1000 V, 60 A, ±25V

贸泽:
IGBT Transistors HIGH POWER

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

Win Source:
IGBT 1000V 60A 180W TO264

DeviceMart:
IGBT 1000V 60A 180W TO264