MOS场效应管/BSN20
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 173mA/0.173A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package 描述与应用| N沟道增强型场效应 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技术。产品可用性： 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD