BZX585-C11 稳压二极管 11V 300mW/0.3W SOD523/0603-11V marking/标记 H7 低功耗
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 10.45V
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平均Typ.| 11V
最大max.| 11.55V
误差Tolerance| 5%
最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 2Ω/ohm
最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.1uA
最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W
Description & Applications| • Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max.40 W. • Low-power voltage regulator diodes
描述与应用| 电压稳压二极管 •总功耗：最大。 300毫瓦 •非重复性峰值反向功耗：最大40 W。 •低功耗稳压二极管
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BZX585-C11 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BZX55C5V6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C20 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C18 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V7 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V6 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C15 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V3 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C10 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C8V2 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V1 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |