AM3457P P沟道场效应管 -30 -5A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 577 快速开关 便携式计算
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -30 \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流IdDrain Current | -5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 75mΩ@ VGS = -4.5V,ID = -3.6A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 1V 耗散功率PdPower Dissipation | 2W Description & Applications | P-Channel 30-V D-S MOSFET Features: • Low rDSon trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • Battery Powered Instruments • Portable Computing • Mobile Phones • GPS Units and Media Players 描述与应用 | P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点： •低RDS（ON）的沟槽技术 •低热阻抗 •开关速度快 典型应用： •电池供电的仪器 •便携式计算 •手机 •GPS装置和媒体播放器