射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W
RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
得捷:
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W
Win Source:
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 / RF Mosfet LDMOS 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| PTFA080551E V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA212401F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA240451E V1 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA212401F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA241301F V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA260851E V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA191001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA192001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA210601F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA260851F V1 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA210601F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |