VP0109N3-G

VP0109N3-G概述

VP0109N3-G 袋装

Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes dmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

VP0109N3-G数据文档
型号 品牌 下载
VP0109N3-G

Microchip 微芯

下载
VP01E

Carlo Gavazzi 瑞士佳乐

下载
VP0106N3-G

Microchip 微芯

下载
VP0104N3-G

Microchip 微芯

下载
VP0106N3

Supertex 超科

下载
VP0109N3

Supertex 超科

下载
VP01-110TB

Carlo Gavazzi 瑞士佳乐

下载
VP0104N3-G P013

Microchip 微芯

下载
VP01EP

Carlo Gavazzi 瑞士佳乐

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台