IGW40N120H3数据手册PDF_IGW40N120H3中文资料-锐单商城

IGW40N120H3概述

INFINEON IGW40N120H3 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

极低 VCEsat

低关闭损耗

短尾线电流

低 EMI

最高接点温度 175°C

立创商城:
IGW40N120H3

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 483W; TO247-3; Series: H3

DeviceMart:
IGBT 1200V 80A 483.0W TO247-3

Win Source:
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3

IGW40N120H3数据文档