NXP PBSS5240T 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 300 mW, 2 A, 450 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -350mV/-0.35V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 480mW/0.48W Description & Applications| 40 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation • Enhanced performance over SOT23 1A standard packaged transistor. • SOT23 plastic package. • NPN complement: PBSS4240T. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment motor and lamp drivers. 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 •增强的性能超过SOT231A标准包装的晶体管。 •SOT23塑料包装。 •NPN补充：PBSS4240T。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重型电池供电设备（电机和灯驱动器）。