UPA621TT

UPA621TT N沟道MOSFET 20V 5A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 WB 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 50mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 2.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μPA621TT is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance RDSon1 = 50 mΩ MAX. VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A RDSon2 = 53 mΩ MAX. VGS = 4.0 V, ID = 2.5 A RDSon3 = 79 mΩ MAX. VGS = 2.5 V, ID = 2.5 A 描述与应用| N-沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 的μPA621TT是一个开关装置，它可以直接由一个驱动 2.5 V电源。 该器件具有低导通电阻和出色的开关 特性，是适合应用，如电源开关 便携机等。 特点 •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 RDS（on）1=50mΩ最大。 （VGS= 4.5 V，ID=2.5 A） RDS（on）=53mΩ最大。 （VGS=4.0 V，ID=2.5 A） RDS（on）=79mΩ最大。 （VGS= 2.5V，ID=2.5 A）